SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备

当日举行的设备入厂庆祝仪式上，ASML韩国公司总经理金丙灿社长、SK海力士未来技术研究院长兼技术总管车宣龙副社长、SK海力士制造技术担当李秉起副社长等领导共同出席，庆祝下一代DRAM生产设备的引进。

SK海力士表示：“在全球半导体市场竞争愈发激烈的背景下，公司已成功构建起快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。通过与合作伙伴的密切协作，公司将进一步提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。”

半导体制造公司为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。然而，为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，引进超越现有EUV的下一代技术设备必不可少。

此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

SK海力士计划通过引进该设备，简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固其在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。