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瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力

基于成熟的SuperGaN技术,650V第四代增强型产品凭借卓越的热效率和超低功率损耗带来强劲性能。

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瑞萨电子推出全新GaN FET,增强高密度功率转换能力

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS,适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计,将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合,显著降低开关功率损耗,同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项,使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。

这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构,由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比,基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外,它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响,以最大限度地减少功率损耗,并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。

新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%,基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on)),较前代产品降低14%,并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本,减少输出电容,进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择,特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容,便于升级,同时保护已有的工程投入。

这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装,为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择,满足热性能与布局优化的要求,还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT),有助于降低外壳温度,方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外,常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量,以实现更高的功率。

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