TDK通过紧凑型EMI扼流圈实现1250 V直流设计

电力电子应用（如工业电机驱动、开关电源以及高压直流转换器）正日益需要紧凑、高效率的设计，以能够处理更高的直流母线电压。在此背景下，TDK Corporation推出了一系列新型高压共模扼流圈，旨在支持1250 V直流架构，同时保持电磁兼容性（EMC）并尽量减小PCB占用面积。

B82722V6*B040系列由电流补偿型环形磁芯双扼流圈组成，专为下一代系统中的EMI抑制而优化，特别适用于采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体的系统。

用于紧凑型转换器设计的高压EMI抑制
该新型扼流圈系列额定直流电压最高可达1250 V（以及630 V交流），可应对现代电力转换系统中更高直流链路电压带来的绝缘和干扰挑战。

尽管具备如此高的电压等级，这些元件仍保持23 × 15.5 × 24 mm的紧凑尺寸，使其能够在不增加PCB面积的情况下集成到空间受限的设计中。这对于功率密度和小型化成为关键设计参数的应用尤为重要。

电气性能与干扰控制
该系列提供3.3 mH至22 mH的标称电感值，在+70 °C环境温度下，额定电流范围为0.85 A至3.0 A，使工程师能够根据应用需求选择合适的配置。

其关键设计特点之一是采用自动化绕线技术，从而提升谐振频率特性，并将寄生电感降低至约0.6%。这有助于改善对共模干扰和对称干扰的抑制能力，而这在SiC和GaN系统典型的高频开关环境中至关重要。

绝缘与安全合规
为确保在高电压条件下的可靠运行，这些扼流圈采用多层固体绝缘结构，并通过3750 V线对线测试，以支持稳健的电气隔离性能。

该设计符合IEC 60938-2和IEC/UL 60939-3关于EMI抑制元件的标准。此外，铁氧体磁芯采用环氧涂层，并配合符合UL 94 V-0阻燃要求的塑料骨架，确保其适用于安全关键型应用。

在工业电力电子中的集成应用
其垂直结构设计以及与波峰焊工艺的兼容性，使其能够轻松集成到标准制造流程中。这些特性使该系列适用于：

通过结合高电压能力、紧凑外形以及改进的EMI抑制性能，该新型扼流圈系列使工程师能够在不增加电路板空间的情况下设计高压直流系统，支持工业和能源应用中持续向更高功率密度发展的趋势。

由 Natania Lyngdoh（Induportals 编辑）编辑 — 由 AI 改编。

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