Nexperia推出应用专用MOSFET，为高功率工业应用提供增强的动态均流功能

Nexperia今日宣布，为旗下不断扩充的应用专用MOSFET (ASFET)产品组合再添新产品。ASFET系列的产品特性经优化调校，可满足特定终端应用的严苛需求。其中，80 V PSMN1R9-80SSJ与100 V PSMN2R3-100SSJ两款开关器件能够提供增强的动态均流功能，专为需要并联多个匹配MOSFET的高功率48 V应用设计。此类应用涵盖叉车、电动滑板车、代步设备等电动交通工具的电机驱动系统，或高功率工业电机。

在并联两个或多个MOSFET以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中，设计人员往往难以确保在导通与关断阶段，负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th)值最低的MOSFET会最先导通，进而承受更高热应力，可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量，工程师通常会对终端应用中所用MOSFET的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间，还需开展额外的测试，但仍难以保证器件在高负载电流（数十安培级别）场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件，但同样会增加终端应用的整体成本。

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET凭借优异的特性和增强的动态均流功能，可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中，针对单器件电流达50 A的应用场景，这两款开关能使并联器件间的电流差值减少50%；同时，VGS(th)参数差异范围缩小50%（最大值与最小值仅差0.6 V）。这一特性结合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on)，有助于在功率开关应用中提升能效表现。

新款ASFET采用兼具耐用性与空间效率的8 mm×8 mm铜夹片LFPAK88封装，工作温度范围为-55℃至+175℃。