瑞萨推出第三代 DDR5 MRDIMM 芯片组解决方案

瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics Corporation）宣布推出其用于服务器级内存应用的第三代（Gen 3）DDR5 多路复用 Rank 双列直插式内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案。该芯片组支持高达 16,000 兆次传输/秒（MT/s）的数据传输速度，旨在扩大人工智能（AI）数据中心、云基础设施和加速计算平台的内存带宽。

在 FMS 2026 上展出
瑞萨将在 2026 年 8 月 4 日至 6 日于加利福尼亚州圣克拉拉举行的“未来内存与存储大会”（FMS 2026，展位号 #807）上展示其用于第三代 MRDIMM 的内存接口组件。
展出的核心组件组合包括第三代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD，型号 RRG5013）和多路复用数据缓冲器（MDB，型号 RRG5103），两者均旨在支持下一代 MRDIMM 的运行需求。

带宽扩展与平台兼容性
与瑞萨的第二代（Gen 2）解决方案相比，第三代 MRDIMM 芯片组将内存带宽提升了 25%，同时保持与现有 DDR5 基础设施和标准 DIMM 外形规格的兼容性。这使得服务器架构能够在无需对平台进行结构性重新设计的情况下提高吞吐量。
完整的芯片组平台包含 MRCD、MDB、电源管理 IC（PMIC）、串行存在检测（SPD）集线器以及集成温度传感器。这种统一的平台设计在支持 MRDIMM 实施世代扩展的同时，确保了跨硬件部署的设计连续性。

系统稳健性与电源效率
基于第二代平台引入的架构，第三代解决方案融入了增强系统可见性和运行稳健性的功能。主要特性包括设备均衡自训练模式（DESTM）质量指示状态，使用户能够校准时序参数和接收器均衡训练，从而优化信号裕量。
第三代 MRDIMM 解决方案还集成了系统级电源效率功能，帮助运营商在高密度服务器环境中管理散热限制和功率预算。

补充背景
本节详细介绍了原始新闻稿中未包含的技术规格。

多路复用 Rank 双列直插式内存模块（MRDIMM）通过在单个主机接口上并行运行两个 Rank 的 DDR5 DRAM 来实现高带宽。与标准寄存式 DIMM（RDIMM）中按顺序访问 Rank 不同，MRCD（多路复用寄存时钟驱动器）和 MDB（多路复用数据缓冲器）将来自两个独立 DRAM Rank 的两个 32 位数据信号多路复用为单个 64 位高速数据流，并以两倍的时钟频率发送至主机内存控制器。

以高达 16,000 MT/s 的速度运行高速并行接口会带来严重的物理层信号完整性挑战，包括码间串扰（ISI）、串扰和信道衰减。设备均衡自训练模式（DESTM）通过在物理层（PHY）执行自动训练序列来解决这些信道劣化效应。DESTM 优化了 MDB 和 MRCD 接收器上的决策反馈均衡（DFE）抽头和连续时间线性均衡（CTLE）设置，提供定量状态指标，以确保在温度波动下实现最大的眼图张开度和信号裕量。

编辑：Romila DSilva（Induportals 编辑），包含 AI 辅助。