东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C” 和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。

三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。

此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗从而降低开关损耗。作为一款4引脚封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文链接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%，有助于降低设备功耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。