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Nidec News
新一代功率半导体测试技术取得进展
Nidec在2026年深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia Shenzhen）展示IGBT和SiC模块检测平台。
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Nidec Advance Technology Corporation在2026年8月26日至28日于深圳世界会展中心（宝安新馆）举行的PCIM Asia Shenzhen上展示了其测试与检测解决方案，展位号为16H15。此次展示重点关注面向下一代功率电子器件的质量保证、动态特性分析和电气测试硬件。公司重点展示了两套面向功率电子生产线及实验室环境的核心检测系统：
功率半导体模块与基板检测产品组合
- NATS-1000/1730测试系统专为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）功率模块的出货前最终测试而设计。全自动NATS-1000平台可在四种不同工况下进行并行测试，包括室温绝缘性能、高温静态特性、高温动态开关特性以及室温静态参数。手动NATS-1730配置则主要面向研发和台架测试流程。
- NATS-2120基板检测系统专为印刷电路板（PCB）基板以及搭载高压、大电流半导体的功率模块而设计。该平台能够识别装配缺陷，从而降低高负载运行条件下误触发、栅极故障和热失控等风险。
这些重点展示的测试平台主要面向汽车主驱逆变器、大功率充电基础设施以及可再生能源转换系统，在产能扩展和缺陷检测方面提供支持。
补充背景信息
本部分详细介绍了未包含在原始新闻稿中的技术规范。
功率半导体模块的静态参数测试用于评估在受控温度条件下的直流电气特性。关键参数包括正向压降、IGBT 的集电极-发射极饱和电压、SiC MOSFET 的漏源导通电阻、栅极阈值电压以及高压阻断条件下的反向漏电流。在高达 175°C 或 200°C 的高温下进行测试至关重要，可在模块集成到实际驱动单元之前，有效检测出局部栅极氧化层缺陷、基板分层以及受温度影响的热漂移问题。
动态开关特性分析用于评估交流开关性能、瞬态开通与关断延迟、上升与下降时间，以及内置续流二极管的反向恢复特性。在高速碳化硅器件中，高电压和高电流变化率要求测试夹具必须具备超低寄生杂散电感（例如回路杂散电感低于 5 纳亨），以防止在高速双脉冲测试期间产生过大的电压过冲与振铃现象。针对功率嵌入式印刷电路板，电气绝缘检测能够验证内部铜层之间的介电绝缘电阻与局部放电限值，确保陶瓷基板和树脂层能够承受高电场应力而不发生介质击穿。
编辑：Romila DSilva（Induportals 编辑，AI 辅助生成）
功率半导体模块的静态参数测试用于评估在受控温度条件下的直流电气特性。关键参数包括正向压降、IGBT 的集电极-发射极饱和电压、SiC MOSFET 的漏源导通电阻、栅极阈值电压以及高压阻断条件下的反向漏电流。在高达 175°C 或 200°C 的高温下进行测试至关重要，可在模块集成到实际驱动单元之前，有效检测出局部栅极氧化层缺陷、基板分层以及受温度影响的热漂移问题。
动态开关特性分析用于评估交流开关性能、瞬态开通与关断延迟、上升与下降时间，以及内置续流二极管的反向恢复特性。在高速碳化硅器件中，高电压和高电流变化率要求测试夹具必须具备超低寄生杂散电感（例如回路杂散电感低于 5 纳亨），以防止在高速双脉冲测试期间产生过大的电压过冲与振铃现象。针对功率嵌入式印刷电路板，电气绝缘检测能够验证内部铜层之间的介电绝缘电阻与局部放电限值，确保陶瓷基板和树脂层能够承受高电场应力而不发生介质击穿。
编辑：Romila DSilva（Induportals 编辑，AI 辅助生成）
